Korejski Samsung danas je najavio početak proizvodnje novih 3-nanometarskih čipova temeljenih na GAA (Gate-All-Around) tranzistorskoj arhitekturi.

Iz kompanije navode da u usporedbi sa starijom 5nm tehnologijom (FinFETT), novi čip pruža 23% bolje performanse, 45% smanjenu potrošnju i 16% manju površinu.

“Samsung brzo raste i nastavljamo demonstrirati lidersku poziciju u primjeni tehnologija sljedeće generacije kao što su FinFET, i EUV. Nastojimo nastaviti ovo vodstvo s prvim svjetskim 3nm procesom u  MBCFE tehnologiji“, rekao je dr. Siyoung Choi, predsjednik i voditelj poslovanja ljevaonica u Samsung Electronicsu.

Ovime je Samsung službeno postao prvi proizvođač 3-nanometarskih čipova, pretekavši TSMC, koji iste najavljuje za drugi dio godine.

Za očekivati je da će prvi ove čipove dobiti Galaxy S23 serija, koja po rasporedu stiže negdje početkom sljedeće godine.

Samsung