Ovogodišnji Exynos 2400 ugodno je iznenadio performansama i približio se Snapdragonu 8 Gen 3. Već su krenule špekulacije o nasljedniku.

Očekuje se da će Exynos 2500 debitirati na novim Gate-All-Around (GAA) tranzistorima, koji su učinkovitiji od sadašnjih FinFET. Ove tranzistore trenutno koristi najveći konkurent TSMC.

Tajvanski gigant planira prelazak na GAA tek na 2nm procesu, koji stiže krajem sljedeće godine. Exynos 2500 trebao bi se pojaviti prije izlaska Galaxy S25 serije, i po najnovijim glasinama koristit će 3nm proces baziran na GAA.

Ovo znači da bi Exynos 2500 mogao nadmašiti Snapdragon 8 Gen 4 u pogledu energetske učinkovitosti, što će definitivno pomoći Samsungu u borbi s konkurencijom u visokoj klasi.

Izvor