Seul/Zagreb, 5. prosinca 2017. – Tvrtka Samsung Electronics, svjetski lider u naprednoj memorijskoj tehnologiji, počela je s masovnom proizvodnjom prvog ugrađenog, univerzalnog Flash Storage (eUFS) rješenja od 512 gigabajta (GB) za uporabu u mobilnim uređajima nove generacije. Korištenjem Samsungovih najnovijih 64-slojnih 512-gigabitnih (Gb) V-NAND čipova, novi 512GB eUFS paket pruža neusporediv kapacitet pohrane i izvanredne performanse za nadolazeće pametne telefone i tablete.

– Novi Samsungov eUFS od 512GB pruža najbolje ugradbeno rješenje za pohranu na premium pametnim telefonima nove generacije čime svladava potencijalna ograničenja u performansama sustava koja se mogu pojaviti prilikom korištenja micro SD kartica – rekao je Jaesoo Han, izvršni potpredsjednik Odjela za prodaju memorije i marketinga u tvrtki Samsung Electronics te dodao – Osiguravši na vrijeme stabilnu opskrbu ovom naprednom ugrađenom pohranom, Samsung radi veliki iskorak i doprinosi predstavljanju mobilnih uređaja nove generacije raznih proizvođača u svijetu na vrijeme.

Svi zajedno – Samsungov novi 512GB UFS koji se sastoji od osam 64-slojnih 512GB V-NAND čipova i kontrolnog čipa – udvostručuju gustoću Samsungovog prethodnog 48-slojnog 256GB eUFS-a koji se temelji na V-NAND-u, u jednakom prostoru kao i paket od 256GB. Povećani kapacitet pohrane eUFS-a omogućit će mnogo veće mobilno iskustvo. Primjerice, novi veliki kapacitet eUFS omogućuje vodećem pametnom telefonu pohranu od oko 130 4K Ultra HD (3840×2160) video zapisa u trajanju od 10 minuta *, što je desetorostruko povećanje u odnosu na 64GB eUFS koji omogućuje pohranu samo oko 13 video zapisa iste veličine.

Da bi se povećale performanse i energetska učinkovitost novog 512GB eUFS-a, Samsung je predstavio novi skup vlastitih tehnologija. Napredno 64-slojno strujno kolo od 512Gb V-NAND i nova tehnologija upravljanja energijom u kontroleru od 512GB eUFS smanjuju neizbježan porast potrošnje energije, što je posebno važno jer novo 512GB eUFS rješenje sadrži dvostruko više stanica u usporedbi s 256GB eUFS. Osim toga, kontrolni čip 512GB eUFS-a ubrzava proces mapiranja prilikom pretvaranja logičkih blok adresa na adrese fizičkih blokova.

Samsungov 512GB eUFS također ima snažne performanse za čitanje i pisanje. Sa svojim sekvencijalnim čitanjem i zapisima koji dosežu 860 megabajta u sekundi (MB/s) i 255MB/s, ugrađena memorija od 512GB omogućuje prijenos video zapisa od 5GB koji je ekvivalent Full HD na SSD za otprilike šest sekundi, više od osam puta brže nego tipična micro SD kartica.

U slučaju uobičajenih operacija novi eUFS može čitati 42.000 IOPS i napisati . Na temelju eUFS-ovih brzih slučajnih zapisa, koji su otprilike 400 puta brži od 100 IOPS brzine konvencionalne micro SD kartice, mobilni korisnici mogu uživati ​​u savršenim multimedijalnim iskustvima kao što su kontinuirano fotografiranje u visokoj rezoluciji, ali i traženje datoteka i preuzimanje videozapisa u dual-app načinu gledanja.

Slično tome, Samsung namjerava povećati agresivni obujam proizvodnje svojih 64-slojnih 512Gb V-NAND čipova, uz proširenje svoje 256Gb V-NAND proizvodnje. To bi trebalo zadovoljiti povećanu potražnju za naprednom ugradbenom mobilnom pohranom, kao i za vrhunskim SSD-ovima i prijenosnim memorijskim karticama visoke gustoće i performansi.