Sudeći po prvim rezultatima koje je čipset Snapdragon 835 osvojio na benchmark testovima, Galaxy S8 bi mogao biti strahovito brz.

Qualcomm je Snapdragon 835 izrađen u 10 nm tehnologiji predstavio u siječnju ove godine, a nudit će maksimalni rad procesora na 2,45 GHz, uz osam procesorskih Kryo 280 jezgri. Snapdragon 835 je najavljen kao čipset koji će zauzimati 35 posto manje prostora u telefonu te trošiti 25 posto manje energije nego prethodnik Snapdragon 820. Nadalje, podržavat će VR i AR iskustvo te gigabitne brzine prijenosa podataka – LTE Category 16 (downlink do 1 Gb/s), LTE Category 13 (uplink do 150 Mb/s). Kamere će moći imati maksimalno 32 megapiksela odnosno 16 u dual kombinaciji. Bit će podržano i brzo punjenje baterije uz Qualcomm® Quick Charge 4.

Prvi mobiteli koji će imati integriran čipset su Samsung Galaxy S8 (premijerno se predstavlja u srijedu 29. ožujka), ZTE Gigabit Phone te Sony Xperia XZ Premium koji su već predstavljeni u Barceloni (XZ Premium je osvojio nagradu za najbolji smartfon na MWC-u).

Na AnTuTu testu, koji uključuje testiranje 3D grafike, igara, korisničkog iskustva, performansi procesora i radne memorije, Snapdragon 835 je u prosjeku osvojio više od 182.000 bodova (napravljena su tri testa te je ovaj rezultat prosjek triju testova: 183.277, 182.896 i 181.432), a usporedo su testirani još i Google Pixel XL i OnePlus 3T.

U konačnici, ovo su prosječni rezultati AnTuTu v6.2.7 benchmark testa (više je bolje):
Snapdragon 835: 182.535
Google Pixel XL: 142.486
OnePlus 3T: 155.573

Testiranje je napravljeno i na 3DMark Ice Storm Unlimited, uz testiranje grafičkih procesora te 3D grafike u realnom vremenu:
Snapdragon 835: 39.146
Apple iPhone 7 Plus: 37.889
OnePlus 3T: 32.143
Google Pixel XL: 28.256