Dok se mnogi insajderi bave kapacitetom baterija za novi Galaxy S26 Edge, nova Geekbench stavka navodno je potvrdila njegov čipset. Sljedeći tanak i lagan uređaj tvrtke Samsung bit će opremljen nadolazećim Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2 čipom.

Uređaj se pojavio s oznakom SM-S947U – vjerojatno američka varijanta telefona – a sada imamo i prvi benchmark za Qualcommov sljedeći vodeći čip. Imajte na umu da se radi o predprodukcijskom primjerku, pa bi konačne verzije za potrošače trebale ostvarivati još bolje rezultate.

Nadolazeći flagship čipset imat će osmojezgreni CPU s 2 glavne jezgre radnog takta 4,74 GHz i 6 jezgri za performanse koje rade na 3,63 GHz. Ove frekvencije su više od onih kod SD Elite čipa, koji radi na 4,32 GHz i 3,53 GHz. Izvještaj od prošlog mjeseca sugerirao je da Qualcomm testira SD Elite 2 s do 4,6 GHz za standardnu verziju i 4,74 GHz za Galaxy verziju.

S26 Edge je postigao 3.393 bodova u single-core testu i 11.515 bodova u multi-core testu. Ti su rezultati nešto viši od S25 Edgeovih 3.131 i 9.391 bod, što predstavlja povećanje od 8% i 22%. Ipak, ne odgovara brojkama koje su se navodile još u lipnju.

Snapdragon Elite 2 službeno će biti predstavljen idućeg mjeseca.