Prije nekoliko godina Samsung je najavio 8,5 Gbps LPDDR5X RAM koji je u to vrijeme bio najbrži na svijetu. Tehnološki napredak vremenom je omogućio još brže memorijske čipove.
Korejska tvrtka danas je lansirala najnoviju verziju koja doseže brzine do 10,7 Gbps, nadmašujući LPDDR5T varijantu od 9,6 Gbps koju je predstavio SK Hynix prošle godine. Ovo predstavlja povećanje performansi od 25% u odnosu na prethodne X varijante, ali brzina nije jedina nadogradnja.
Čipovi su izrađeni u 12nm procesu, pa su fizički manji, a to omogućuje povećavanje kapaciteta za 30%. Potrošnja energije navodno je smanjena za 25%, i mogu ući u način rada niske potrošnje tijekom duljeg razdoblja.
Samsung će započeti masovnu proizvodnju 10,7 Gbps LPDDR5X RAM-a u drugoj polovici ove godine, a ujedno su potvrdili da rade i na LPDDR6 RAM memoriji nove generacije.