Korejska kompanija Samsung danas je službeno započela prve isporuke 3nm čipova baziranih na Gate-All-Around (GAA) procesu proizvodnje.
Na današnjoj ceremoniji prisustvovalo je oko 100 ljudi, uključujući korejskog ministra trgovine Lee Chang-yanga, CEO Samsung Electronicsa, kao i još neki od važnih zaposlenika kompanije.
Samsungov 3nm GAA proces nudi 45% manju potrošnju, 25% bolje performanse, i uz to je 16% manjih dimenzija u odnosu na usporedivi 5nm FinFETT čip. Druga generacija GAA procesa donijet će još veća unaprijeđenja, kada se dodatno usavrši.
Najveći konkurent, tajvanski TSMC, svoj 3nm čip će pustiti u proizvodnju kasnije ove godine. I dalje će biti baziran na FinFETT tehnologiji.
